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苹果玩转先进封装


来源:小九直播回放    发布时间:2024-08-08 11:36:26

  2017 年 11 月21日,时任台积电董事长的张忠谋在台下默默鼓掌,这一天的主角,不是声名赫赫的他,而是此前默默无名的余振华。

  接过奖项的他,指了指着一旁记者手中的iPhone说:“这个就有InFO(整合扇出型封装),从iPhone 7就开始了,现在继续在用,iPhone 8、iPhone X,以后别的手机也会开始用这个技术。”

  这里提到的InFO,即先进封装中的一种,正是它让台积电轻松吃下iPhone 7中 A10处理器的全部订单,把2015年还在代工A9处理器的三星挤出局,一举奠定了台积电的江湖地位。

  依靠着InFO,苹果A10处理器在沿用16nm FinFET 工艺的情况下,依旧实现了不俗的性能提升,相较于隔壁用上三星10nm工艺的骁龙835和Exynos 8890也未逊色多少。

  而先进封装这把利器,此时借由苹果之手,揭开了它神秘的面纱,向着世人款款而来。

  下面这张图是诺基亚N95——一款发售于2007年3月的智能手机的主板,它不仅搭载了强悍的双处理器,还有密密麻麻的模拟芯片,其复杂程度,并不亚于当时任意一款高端笔记本电脑。

  同时N95还有三块不同的存储芯片,散布在两颗处理器的周围,光是想要弄清这款手机的硬件架构,就要消耗不少力气,维修起来也是件相当麻烦的事情。

  而另外一张主板图同样来自于2007年发售的手机——初代iPhone,仔仔细细地观察后,我们会发现,整个主板的集成度相较于N95更高,各类芯片密密麻麻地排布在一起,彼此间的空隙大大缩短。

  更重要的是,我们在这个主板上,只能找到处理器与NAND,在所有手机中都能看到的DRAM却没了踪影,难道说苹果有什么黑科技,能把DRAM丢到副板上?

  答案藏在苹果Logo芯片的下方,这颗名为APL0098的SoC,其实就是三星S5L8900的换皮版,它的下方,封装堆叠了两块三星出品的512 MB SDRAM,是的没错,苹果在初代iPhone上就采用了层叠式封装 (PoP),将DRAM和SoC集成在了一起。

  而这项技术,自然也是出自三星之手,台积电当时也不得不甘拜下风,从初代iPhone到iPhone 5s,所有苹果处理器与封装均由三星单独完成,甚至于苹果A4自研芯片的研发,也在相当程度上受到了三星的影响。

  有中国台 湾半导体人士评价道,三星是举世*可量产存储与处理器,也有自家封测厂的半导体厂,由它承制,整个A7处理器可在「一个屋顶」下完成,在成本、整合度拥有巨大优势,台积电确实难以在极短的时间内追赶上。

  苹果青睐PoP封装也不是没理由的,与传统封装相比,PoP封装占用较少的基板,而较小的尺寸与较少的重量反过来又减小了电路板面积,而与DRAM较短的互联能实现更快的数据传输速率,且在制作的完整过程的每个环节都能节约成本。

  iPhone 5s上的先进封装不过是苹果小试牛刀,苹果真正用好这一利器,还要等到2014年的Apple Watch。

  在这一年9月的发布会上,苹果的CEO库克在时隔多年后又一次准备了One More Thing,只不过这次主角是智能穿戴,继iPad之后,苹果又推出了Apple Watch这一全新品类。

  发布会上,库克也是大吹特吹了一通,虽然Apple Watch并不是市面上最早的智能手表,但库克仍然把它视作一款革命性的产品,“它不是缩小版的 iPhone,而是一种直接通过手腕进行通信的创新方式,它的功能远不止这些。库克在舞台上信誓旦旦。

  Apple Watch的诸多先进功能现在看来已经稀疏平常,大部分千元级别的智能手表都可以轻松做到,但它的核心——S1芯片却是其他厂商从未追赶上的。

  当拆解机构掀开Apple Watch的屏幕时,映入眼帘的只有一块电池和一颗线性振动马达,驱动手表的处理器却没了踪影,直到掀开电池,印着苹果Logo的封装芯片才得以揭晓。

  这块印着S1的芯片被牢牢压在了电池和马达下面,而它采用的封装工艺,正是我们今天津津乐道的SiP(System In a Package系统级封装)。

  拆解显示,SiP封装真正体现了将总系统进行封装的精髓,在一块26.15 mm x 28.50 mm的主板上,集成了多达14颗左右的核心芯片产品,以及上百个电阻电容等元器件,所有元器件都有各自独立的封装,并紧密有序地排列在主板上,而除了惯性组合传感器外,其他都元器件都封装在一起,整个封装的厚度仅为1.16mm。

  26.15 mm x 28.50 mm×1.16mm,传统芯片的大小,构成了一个系统,其复杂程度,甚至超越了当年与它一同发售的iPhone 6主板。

  但先进封装的背后,不再是熟悉的三星操刀,苹果把目光抛向了中国台 湾,晶圆代工固然是这里远近闻名的优势,台积电就肩负着代工A8芯片的重任,但封装测试作为半导体中很重要的一环,中国台 湾也并不比其他几个国家地区逊色多少。

  那S1芯片,背后又是谁在出力呢?据新闻媒体报道,S1的 SiP基板出自景硕与南电之手,而SiP封装及模组代工则由封测大厂日月光独占,三大供应商因苹果走到了一起,一同为初代Apple Watch小巧身躯里注入了强大的动力。

  眼看着自初代iPhone以来,先进封装越来越吃香,苹果也开始琢磨起了更高级的封装形式,光是三星的PoP已经难以满足苹果的胃口,更薄的封装已经势在必行。

  而代工过A8和部分A9芯片的台积电,拿出了一项苹果没办法拒绝的技术——InFO。

  事实上,台积电从2009年就已开始布局封装,其中的带头人是蒋尚义,而负责开发的,就是前文中提到的余振华,他一手缔造了今天在AI中正火热的CoWoS。

  当时张忠谋对先进封装这个方向极为看好,还专门拨了400个研发工程师给余振华,他也不负众望,在三年后顺利开发出CoWoS技术,即*代CoWoS技术。

  这项2011年发布的技术,首先是被赛灵思的高端 FPGA 采用。其中Si 中介层的*尺寸为775mm2 (25 mm x 31 mm),接近一个掩模版的曝光尺寸(26mm x 33mm)(在 ArF 浸入式光刻机的情况下),而FPGA 芯片制造技术是 28 纳米 CMOS 工艺,采用该技术的赛灵思高端FPGA“7V2000T”在“CoWoS_S”中配备了四个FPGA逻辑芯片。

  在2014年发布的第二代“CoWoS_S”中,硅中介层扩大到1150mm2,接近1287mm2,这是1.5分划板的曝光面积,在2015年被赛灵思高端FPGA“XCVU440”采用,其采用20 纳米 CMOS 工艺,配备了三块 FPGA 逻辑芯片。

  接连两代的CoWoS,都没有翻起太大的风浪,只有赛灵思成为了台积电这项新技术的顾客,这也让开发技术的余振华产生了动摇,“(好像)某人夸下海口,要了大量资源,做了个没什么用的东西,“他在后续的采访中回忆道。

  是CoWoS技术还不够好吗?当然并非是,理论上利用这项技术的处理器,可以缩减多达70%厚度,对于寸土寸金的半导体来说,这个诱惑不可谓不大。

  但打消他们念头的,是CoWoS的成本,有台积电的客户在接洽时表示,这类技术要被接受,价格不能超过每平方毫米1美分,但CoWoS的价格却达到了5倍以上,即使是大公司,难免也会感到肉疼。

  为了改变叫好不叫座的局面,台积电的高层决定开发一个每平方毫米1美分的先进封装技术,性能可以比CoWoS略差一些,但是一定要争取到大客户。

  这项技术就是首度用在iPhone 7与7Plus的InFO封装,最终成为台积电吃下苹果A10芯片全部订单的关键之所在。

  InFO全称为Integrated Fan-Out,意为集成式扇出型封装,重点为集成和扇出型封装。提到InFO封装,首先要先说一下FOWLP(Fan-Out Wafer Level package)封装。传统的WLP在切割前进行封装,虽然减小了封装尺寸,但是使I/O数量受到了限制,为满足I/O数量增多的需求,FOWLP应运而生。FOWLP使用扇出型技术,通过RDL层,将Die表面的触点扩展到Die的投影面积之外,增加了凸点布置的灵活性以及增多了引脚数量。通常情况下的FOWLP封装的特点为尺寸较小,无基板,塑封封装。InFO封装在某些方面与FOWLP具有相同的特点,而同时又在其上进行了发展。

  与三星提供的PoP封装相比,InFO_PoP不需要硅中介层,允许多个倒装芯片组件被放置在封装基板上,通过封装衬底互连到彼此,不仅缩小了芯片面积与厚度,在价格上也更具竞争力,

  据一位曾参与苹果订单的封测厂高层主管回忆,三星算是大意失荆州,当台积电提出InFO时,封装经验更丰富的三星,却以为只要将既有的PoP封装稍微改良,就可达到苹果要求的厚度水准,而事实显然并非如此。

  而InFO技术几经改良,不仅在iPhone上沿用至今,还让Mac产品也受惠于此。

  当苹果在2021年推出 20 核的 M1 Ultra 处理器时,它的 UltraFusion 2.5 TB/s 处理器间互连让世界为之瞩目,而怎么样才能做到这一点,也成为了所有半导体行业人士关心的问题。

  及RDL层代替整块硅,达到了性能与成本的平衡,根据TechInsights的解析,硅桥将两块M1 Max处理器连接在一起,实现了低电阻、低延迟和高带宽,而M1 Ultra 也是 TechInsights 记录的*个使用 InFO-LSI 技术的设备示例。

  先进封装不仅把两颗处理器牢牢地粘合在一起,也在苹果和台积电之间搭建起了一座硅桥,两个巨头携手,掀起了一场关于封装的狂风骤雨。

  对于苹果来说,满足于现有封装技术似乎是完全不可能的事情,即使是在工艺制程上遥遥*的台积电,也在5nm节点上停留了许久,直到今年才完成了3nm节点的大规模量产,至于更远的GAA和2nm,短期内肯定难以快速实现。

  而苹果作为电子消费产品起家的一个企业,对于性能也有种超乎一般公司的执着,每年一迭代手机里的处理器,性能也必须跟着迭代,而新生的自研芯片版Mac,更是需要在英特尔和AMD的压力下,保持住自己*的性能功耗,而摩尔定律逐渐失效的今天,台积电的先进封装就成为了苹果压箱底的法宝。

  据台媒报道,苹果正小量试产最新的3D小芯片堆叠技术SoIC(单线集成电路小轮廓封装),目前规划采用SoIC搭配InFO的封装方案,预计用于MacBook,最快2025~2026年推出产品。

  SoIC又是什么新技术呢?根据台积电在第二十四届年度技术研讨会中的说明,SoIC是一种创新的多芯片堆叠技术,是一种晶圆对晶圆(Wafer-on-wafer)的键合(Bonding)技术,这是一种3D IC制程技术,可以让台积电具备直接为客户生产3D IC的能力。

  最让人啧啧称奇的是,SoIC技术是采用硅穿孔(TSV)技术,能够达到无凸起的键合结构,可以把很多不同性质的临近芯片整合在一起,当中最关键、最神秘之处,就在于接合的材料,号称是价值高达十亿美元的机密材料,因此能直接透过微小的孔隙沟通多层的芯片,达成在相同的体积增加多倍以上的性能,简言之,能持续维持摩尔定律的优势。

  台积电赴日本参加VLSI技术及电路研讨会发表技术论文时,也针对SoIC技术发表过论文,表示SoIC解决方案将不一样的尺寸、制程技术及材料的裸晶堆叠在一起。相较于传统使用微凸块的三维积体电路解决方案,台积电的SoIC的凸块密度与速度高出数倍,同时大幅度减少功耗。此外,SoIC能利用台积电的InFO或CoWoS的后端先进封装至技术来整合其他芯片,打造强大的3D×3D系统级解决方案。

  有媒体认为,从台积电最初提出的CoWoS技术,到独占苹果代工的InFO技术,下一个让它笑傲于封装行业的,就是SoIC技术。

  目前,台积电的SoIC技术已在竹南六厂(AP6)进入量产,月产能近2000片,预期未来几年将持续翻倍增长,AMD是其首发客户,最新的MI300采用了 SoIC搭配CoWoS封装的方案。

  基于成本、设计等因素考虑,苹果大概率会采用SoIC搭配InFO的解决方案,或许在M3 Ultra上就能一睹这项技术的实力。

  PoP技术带领iPhone杀入智能手机市场,InFO让苹果自研移动芯片走上崛起之路,而SoIC,会让苹果在桌面端芯片上掀起一场新的封装革命吗?

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